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三星东芝支持高速DDR 2.0 NAND闪
07-26
三星和东芝今天共同宣布,双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术:拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存,即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准,被业界广泛接受使用。 最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps,现行的DDR 1.0标准将接口
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